Электронные компоненты: продажа и поставки. smd компоненты.

Силовые IGBT транзисторы

IGBT-transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor) – биполярный транзистор с изолированным затвором - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого лежит трёхслойная структура. Его срабатывание (включение и выключение) осуществляются за счет подачи или снятия положительного напряжения между затвором и эмитером.

IGBT – это следствие развития технологии силовых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET – Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor), управляемые электрическим полем и сочетают в себе два транзистора в объедененной полупроводниковой структуре: биполярный (силовой) и полевой (управляющий).

Для IGBT-транзисторов с номинальным напряжением в диапазоне 600-1200 В в полностью включённом состоянии прямое падение напряжения, так же как и для биполярных транзисторов, находится в диапазоне 1,5-3,5 В.

На сегодняшний день основными полностью управляемыми приборами силовой электроники в области коммутируемых токов более 50 А и напряжений от 0,5 кВ, являются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Помимо области высоковольтных силовых преобразователей на мощности от единиц киловатт, IGBT-транзисторы используются в бытовой технике для управления относительно маломощными приводами с широким диапазоном регулирования скорости вращения. Так данный тип транзисторов нашел применение в стиральных машинах и инверторных кондиционерах. Их также с успехом применяют в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей. Эти транзисторы с улучшенной характеристикой переключения широко используются в импульсных блоках питания телекоммуникационных и серверных систем.

IBGT транзисторы – как класс приборов силовой электроники – занимает и будет занимать доминирующее положение для диапазона мощностей от единиц киловатт до единиц мегаватт. 

Дальнейшее развитие транзисторов IGBT связано с требованиями рынка и будет идти по пути:

  • повышения диапазона предельных коммутируемых токов и напряжений (единицы килоампер, 5-7 кВ);
  • повышения быстродействия;
  • повышения стойкости к перегрузкам и аварийным режимам;
  • снижения прямого падения напряжения;
  • разработка новых структур с плотностями токов, приближающихся к тиристорным;
  • развития "интеллектуальных" IGBT (с встроенными функциями диагностики и защит) и модулей на их основе;
  • создания новых высоконадёжных корпусов, в том числе с использованием MMC (AlSiC) и прижимной конструкции;
  • повышения частоты и снижение потерь SiC быстровосстанавливающихся обратных диодов;
  • применения прямого водяного охлаждения для исключения соединения основание - охладитель.

IGBT-транзисторы с низкими потерями, применяемые в двигателях с частотой до 20 кГц

FGW30N 60VD 30 600 TO-247
FGW50N 60VD 50 600 TO-247
FGW15N 120VD 15 1200 TO-247
FGW25N 120VD 25 1200 TO-247
FGW40N 120VD 40 1200 TO-247
FGW75N 60VD 75 600 TO-264

Высокоскоростные IGBT-транзисторы, применяемые в источниках бесперебойного питания и сварочном оборудовании с частотой в диапазоне от 20 до 50 кГЦ

FGW30N 60H 30 600 TO-247
FGW50N 60H 50 600 TO-247
FGW75N 60H 75 600 TO-247
FGW30N 60H 30 600 TO-247
FGW50N 60H 50 600 TO-247
FGW75N 60H 75 600 TO-247
FGW15N 120HD 15 1200 TO-247
FGW25N 120HD 25 1200 TO-247
FGW40N 120HD 40 1200 TO-247
FGW15N 120HD 15 1200 TO-247
FGW25N 120HD 25 1200 TO-247
FGW40N 120HD 40 1200 TO-247